FZT851TA 与 BDP 949 H6327 区别
| 型号 | FZT851TA | BDP 949 H6327 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-FZT851TA | A-BDP 949 H6327 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | FZT851 Series NPN 6 A 60 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 3W | 5W | ||||||
| 特征频率fT | 130MHz | 100MHz | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 375mV | 500mV | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 | ||||||
| VCBO | 150V | 60V | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||
| VEBO | 7V | 5V | ||||||
| 集电极连续电流 | 6A | 3A | ||||||
| 直流电流增益hFE | 25 | 100 | ||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 60V | 60V | ||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 10,908 | 1,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FZT851TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
3W 60V 6A 375mV 25 130MHz NPN SOT-223 |
￥2.64
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10,908 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 3W 60V 6A 260mV 55 130MHz NPN |
￥2.805
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3,999 | 对比 | ||||||||||
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BDP 949 H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 5W 60V 3A 500mV 100 100MHz 车规 NPN |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
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ZX5T851GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 3W 60V 6A 260mV 20 130MHz NPN |
￥7.1655
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439 | 对比 | ||||||||||
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ZX5T851GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 3W 60V 6A 260mV 20 130MHz NPN |
￥2.706
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197 | 对比 | ||||||||||
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BCP55,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 1.35W 60V 1A 500mV 40 180MHz NPN |
暂无价格 | 83 | 对比 |
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